Датчики в шлейфе
В качестве датчиков в шлейфе допустимо использовать любые пары механических контактов, в том числе и герконы. Для автономных квартирных охранных устройств (в отличие от устройств централизованной охраны) более эффективны датчики,...
Низкая выходная мощность
Низкая выходная мощность - существенная отличительная особенность С108А. Наши эксперты сочли его великолепным для тех случаев, когда вы находитесь вблизи ретранслятора, но, не исключено, что на пересеченной местности или в окружении...
|
ГлавнаяНаши контактыКарта
рутрекер у нас пряжа кашемир подробнее на rykodeli.ru производство значков адреса магазинов фейерверков в москве подробно на magazin-pirotehniki.ru левитирующая колонка купить - смотрите на нашем сайте ремонт санузлов под ключ в москве
Конструкция индикатора
![]() Технология Plug and Play
![]()
В последние годы в УМЗЧ высокой верности широко применяются однотактные выходные каскады на биполярных, МОП- и СИТ-транзисторах. Такие каскады, как известно, могут работать только в режиме А, что заранее определяет их потенциальную линейность. При использовании усилительных элементов с высокой линейностью характеристик спектр искажений, вносимых ими в выходной сигнал, сходен со спектром искажений ламповых выходных каскадов.
Он содержит значительно меньше высших гармоник усиливаемого сигнала и с более низкими амплитудами, особенно при близких к максимальным для этого каскада выходных мощностях. Именно по этой причине однотактные выходные каскады высоко ценятся истинными любителями Hi-End аппаратуры. Однако конструирование таких каскадов имеет свои сложности, связанные с обеспечением достаточной выходной мощности, отводом от транзисторов излишнего тепла, обеспечением температурной стабильности режимов транзисторов. Схема маломощного (РВЬ4Х=1 Вт) простейшего выходного однотактного каскада на биполярных транзисторах средней мощности. Анализ его схемотехники позволяет понять основные принципы конструирования более мощных выходных каскадов этого типа, в том числе на мощных МОП- и СИТ-транзисторах. Собственно усилителем тока является здесь транзистор VT1, включенный по схеме с ОК. Функции его эмиттерной нагрузки выполняет источник тока на транзисторах VT2, VT3, однако может быть из такого прибора содержатся два транзистора одной структуры, включенных по схеме Дарлингтона, резисторы цепей смещения и защитный диод. Составные транзисторы позволяют резко уменьшить ток, потребляемый от усилителя напряжения, однако у них неважные частотные характеристики, которые значительно хуже, чем у транзисторов КТ8101 и КТ8102. В отличие от отечественных приборов, составные транзисторы производства зарубежных фирм имеют вполне приемлемые частотные характеристики (граничная частота коэффициента передачи тока может превышать 10 МГц). Так оказалось возможным использовать в однотактном выходном каскаде мощные составные транзисторы BU931ZPFI производства фирмы SGC-THOMSON MICROELECTRONICS. Схема выходного каскада с их применением. Как видно из схемы, потребовалось поднять напряжение нижнего плеча делителя, задающего смещение для транзистора VT2, увеличив число диодов до четырех (в отдельных случаях может потребоваться и до пяти таких диодов). Схемотехника усилителей мощности звуковой частоты высокой верности: Конструирование усилителей мощности 34 без общей ООС требует точного согласования их каскадов по току и напряжению. В таких усилителях с точки зрения увеличения их собственной конструктивной линейности желательно избегать разделительных конденсаторов между каскадами, используя, как правило, только непосредственные связи. |